Observer la « piézo-résistance géante » dans un nanocristal de silicium
Grâce à une utilisation originale de la spectroscopie d’impédance, des chercheurs ont mis en évidence l’origine de la grande variabilité de résistance électrique d’une plaquette commerciale de silicium-surisolant, lorsqu’elle est soumise à une contrainte mécanique.
L’industrie micro-électronique cherche en permanence à améliorer les performances des circuits intégrés. La réduction de la taille des dispositifs jusqu’à l’échelle nanométrique, ainsi que la contrainte mécanique constituent les approches les plus utilisées. La contrainte mécanique permet de modifier la résistance électrique des cristaux parfaits du silicium, un effet physique appelé « piézo-résistance » qui est à la base des technologies dites « strained silicon », où les atomes de silicium sont serrés en deçà de la distance interatomique normale.
Depuis quelques années est apparue dans la littérature scientifique une grande variété d’effets piézo-résistifs contradictoires dans les nanodispositifs en silicium. Certains groupes prétendent que la piézo-résistance du nanosilicium peut être bien plus importante que celle du « strained silicon » habituel, d’autres, majoritaires, affirment qu’elle reste comparable. L’origine et l’existence même d’un tel effet géant de piézo-résistance était donc sur la sellette.
