Un matériau prometteur pour l’électronique de puissance et l’optoélectronique dans l’ultraviolet
Résultat scientifique
Nucléaire et particules
Pour la première fois, des chercheurs sont parvenus à fabriquer des substrats de large diamètre du semi-conducteur β-Ga2O3 aussi bien de type « n » que de type « p », permettant d’envisager le développement de composants à la fois pour l’électronique de puissance et l’optoélectronique dans l’ultraviolet lointain.